“摘要:拟定增加码SiC衬底晶片(投资33.6亿元)、12英寸集成电路大硅片设备试验线(投资7.5亿元)、半导体材料抛光及减薄设备(投资5亿元)。碳化硅主要用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。由于碳化硅衬底技术门槛高,良率低,成本较高制约其发展,。” 1. 投资要点事件:2021年11月8日公司发布公告,公司与双良硅材料(双良节能全资孙公司)签订16.1亿元单晶炉订单,叠加2021年5月公司与双良硅材料签订的6.3亿元订单,截至2021年11月,公司与双良节能合计签订22.4亿元大单。 2. 获得双良节能单晶炉大单,全年新签订单保持高速增长。 3. 双良硅材料系双良节能的全资孙公司,是双良节能“40GW单晶硅项目”的运营实施主体,该项目分两期建设,一期项目总投资70亿元,建成年产20GW拉晶、20GW切片。 4. 2021年5月,公司与双良硅材料签订14.05亿元单晶炉合同,其中一期6.3亿元。 5. 本次合同是双良硅材料与公司5月签订合同的后续部分,双良节能为推进大尺寸单晶硅片项目进一步投产,将二期合同金额从原有的7.77亿元提升至16.15亿元,增加值约8.4亿元。 6. 截至2021年11月,公司与双良硅材料签订的两份合同金额共计22.43亿元(含税),交货时间为2021年10月至2022年5月。 7. 根据公司21年三季报,公司在手订单177.6亿元,结合2020年报及21年前三季度收入,我们测算公司2021年1-9月新单超160亿元(含税)。 8. 2021年10月公司与高景太阳能签订14.85亿元单晶炉及配套订单,叠加本次与双良节能追加订单,截至2021年11月9日,测算公司本年新单超180亿元,较2020年大幅增长。 9. 公司近年来持续加强稳定批量和柔性快捷的双模制造模式,深入推行生产制造的信息化管理,设备制造产能大幅提升,可应对当前客户密集订单交付。 10. 泛半导体长晶设备龙头,依托拉晶技术拓展碳化硅材料,打开长期空间。 11. 2021年10月公司拟定增加码SiC衬底晶片(投资33.6亿元)、12英寸集成电路大硅片设备试验线(投资7.5亿元)、半导体材料抛光及减薄设备(投资5亿元)。 12. 碳化硅主要用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。 13. 由于碳化硅衬底技术门槛高,良率低,成本较高制约其发展,导致行业的整体产能远不及市场需求。 14. 公司SiC外延设备已实现销售,同时在SiC晶体生长、切片、抛光环节建立测试线。 15. 半导体设备及碳化硅衬底有望进一步打开公司发展的长期空间。 16. 盈利预测与投资建议:预计2021-2023年归母净利润17.1、25.4、35.3亿元,对应PE58、39、28倍,维持“增持”评级。 17. 风险提示:硅片扩产不及预期,SiC业务扩展不及预期,市场竞争加剧风险。
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