申万宏源-电子行业深度报告：化合物半导体，5G与新能源车驱动高成长-200929

1. 第三代申万宏源化合物半导体迎来快速成长期。

2. 目前绝大电子行业深度报告多数的集成电路以硅为原材料制作，具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。

3. 但摩尔定律逐渐遇到瓶颈，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材料在模拟IC上实现更优质的性化合物半导体能是发展方向之一。

4. 同时随着5G、新能源汽5G与新能源车驱动高成长车等产业的发展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。

5. 目前GaAs产业相对较申万宏源为成熟、以稳懋为代表的相关代工厂近年来取得了快速的成长。

6. GaAs具备高功率密度、电子行业深度报告低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、击穿电压高等特性，在射频、功率器件、光电子及国防军工等应用领域优势显著。

7. 20世纪9化合物半导体0年代以来，砷化镓技术开始迅速发展，并且逐渐成为主流半导体材料，长时间的技术积累，使得GaAs相对于SiC和GaN等新兴材料而言，技术更为成熟，成本也较低。

8. 一开始化5G与新能源车驱动高成长合物半导体以IDM公司为主，但专业代工成本优势逐渐体现，自2006年起，IDM公司对于产能扩充较为保守，释放更多的订单给晶圆制造代工厂。

9. 同时，稳懋等代工厂从较申万宏源低毛利的产品提升为较高毛利的产品开发与早期量产技术提供者。

10. 5G等行业演进对高频高功率半导体器件需求激增，GaN电子行业深度报告发展迎来契机。

11. 相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等，GaN具备许多比较突出的优势特性，由于禁带宽度大、导热率高、电子饱和速度快，GaN适用于高温、高频、高功率等化合物半导体场景。

12. 根据CASA报告显示，2019年各厂家在售的5G与新能源车驱动高成长各类GaN产品种类较2017年增加了6成，仅2019年就新增了321款新品。

13. 同时随着技术发展，GaN的成本不断下滑，以射频产品为例，RFGaNHEMT近期降价显著，2019年底平均价格较2018申万宏源年降幅近23%。

14. 新能源车及充电桩行业景气上行，市电子行业深度报告场及渗透率双提升。

15. 碳化硅具有宽禁带、高击化合物半导体穿场强、高的热导率和强的抗辐射能力，因此有更高工作温度和可靠性、更耐压，更小的尺寸。

16. SiC电力电子器件已覆盖较多应用，2019年各厂商新推出数5G与新能源车驱动高成长款车规级产品。

17. SiC功率模块2019申万宏源年推出模块新品数量占新品总数一半以上。

18. 博世预计2020-2024年，碳化硅市场电子行业深度报告年复合增长率接近30%，到2024年将达20亿美元的规模。

19. 根据Yole预测，2023年SiC电力电子器件的市场渗透率将达到3.7化合物半导体5%。

20. 风险提示：5G进展不及预期；新能源汽车5G与新能源车驱动高成长进展不及预期；技术良率突破不及预期。