安信证券-半导体行业深度分析：助力800V高压平台升级，SiC车规级应用渗透率加速提升-211231

1. ■800V平台可有效解决电动车里程焦虑、快充速度问题，车企纷纷布局：续航能力和充电时长是影响电动车普及程度的重要因素，现阶段新能源车的续航里程大约为500-600km，无法满足城际间长里程驾驶需求；另外由于新能源车补能效率较低，燃油车的加油时间仅为5分钟左右，而新能源车充电通常需要60分钟，提升电压平台可提升整车运行效率及充电速度。

2. 以保时捷为例，保时捷将电压平台从400V提高至800V后，实现300kW充电功率，可以在22.5分钟内把TaycanTurboS容量93.4kWh的动力电池从5%充至80%，提供300公里的续航能力，高压线束的截面积仅为400V架构下的二分之一，线束减重4kg。

3. 吉利极氪、小鹏汽车、广汽埃安、比亚迪、理想汽车、北汽极狐、岚图等车企也相继投资800V电压架构产品，并逐步计划量产。

4. ■采用碳化硅器件并未提高整车成本：目前单个碳化硅功率器件的价值量约为硅基IGBT的3倍，但主机厂通常从整车成本考虑，采用碳化硅能带动整车系统效率提升，从而降低系统其他部分成本。

5. 根据产业调研，在中高端车型中使用硅基IGBT的总体成本约为3000元左右，碳化硅器件成本约为硅基IGBT的3倍，在相同性能的产品中，使用碳化硅器件可使汽车续航能力提升5-10%，以5%的性能提升计算，对应电池端即可节省4000-5000元，碳化硅耐高压和耐高温特性可使得电缆、散热系统等成本降低，仅散热系统即可节省1000元左右，综合成本可抵消器件本身成本的增加。

6. 使用碳化硅并不会增加整车成本，这为行业发展带来长久动力。

7. ■碳化硅成本下降空间大，800V架构车型有望向经济型下沉：目前碳化硅衬底制作难，长晶速度慢导致成本过高，是影响碳化硅器件渗透率的主要因素，现阶段采用碳化硅器件的多为中高端车型。

8. 未来随着碳化硅衬底工艺提升、尺寸扩大及行业产能增加，势必带来产品成本降低，经济型电动车也将有望搭载高压方案。

9. 目前6寸导电型衬底片的市场零售价约1000美元/片，据产业调研，到2025年价格有望下降至500美元以下，硅基和SiC基的成本差距会在2倍内，届时碳化硅器件更据优势，渗透率将有望持续提升。

10. ■投资建议：建议关注闻泰科技、露笑科技、三安光电、时代电气、斯达半导、天科合达（未上市）、山东天岳（未上市）等公司。

11. ■风险提示：新能源汽车发展不及预期；800V架构产品量产不及预期；SiC技术难度大，产品研发、量产不及预期；SiC渗透率不及预期。