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信达证券-新洁能-605111-Q3业绩超预期,IGBT新品快速突破-211024

上传日期:2021-10-25 11:45:15  研报作者:方竞  分享者:colacat   收藏研报

【研究报告内容】

摘要:工厂流片验证,为长远市场开拓布局。此外公司推出了针对MOSFET/IGBT/SiCMOSFET/GaNHEMT的驱动IC产品,可与公司功率器件搭配销售,进一步增强公司产品竞争力。尤为值得关注的是,IGBT将成为公司成长新引擎。依托于公司创立之初便已储备的IGBT技术基础,借下游旺盛需求的东。”

1. 事件:2021年10月21日晚,新洁能发布2021年三季报,公司三季度实现营收4.22亿元,同比增长49.84%,环比增长17.10%;实现归母净利1.36亿,同比增长198.78%,环比增长37.18%。

2. 点评:Q3业绩超预期,利润率创历史新高:得益于行业高景气度下公司产能持续增长,公司三季度实现营收4.22亿元,同比增长49.84%,环比增长17.10%;实现归母净利1.36亿,同比增长198.78%,环比增长37.18%,赢得超预期表现。

3. 利润率方面,伴随着行业供不应求情况,公司产品价格调涨的同时,优先保障龙头客户供应,并加大屏蔽栅MOS、超结MOS、IGBT等高价值量产品销售占比,公司三季度毛利率再创新高,达42.06%,环比提升2.11pct。

4. 且由于营收规模效应下费用率进一步下降,公司净利率创历史新高,达32.3%。

5. 产品结构持续优化,IGBT将为公司成长新引擎:公司持续加大新品开拓,推进产品结构升级。

6. MOSFET方面,公司持续加大对屏蔽栅MOSFET、超结MOSFET等工艺平台研发积累,且产品可靠性不断提升,下游向新能源汽车、电动工具、锂电保护、高端电源等领域客户持续拓展。

7. 第三代半导体方面,1200V新能源汽车用SiCMOSFET和650VPD电源用GaNHEMT正于境内外代工厂流片验证,为长远市场开拓布局。

8. 此外公司推出了针对MOSFET/IGBT/SiCMOSFET/GaNHEMT的驱动IC产品,可与公司功率器件搭配销售,进一步增强公司产品竞争力。

9. 尤为值得关注的是,IGBT将成为公司成长新引擎。

10. 依托于公司创立之初便已储备的IGBT技术基础,借下游旺盛需求的东风,公司上市以来持续加大对工控、光伏储能应用领域的IGBT产品研发,21年上半年营收便达2642.22万元。

11. 与如阳光电源、固德威、德业等光伏储能头部客户建立合作,后续更有望迎来快速业绩释放。

12. 盈利预测与投资评级:公司作为国内功率器件龙头之一,产品丰富、品牌实力突出,且目前正持续优化产品结构,IGBT、SiC等新品进展顺利,将打开公司新的业绩增长点。

13. 我们预计2021-2023年公司归母净利分别为4.32/5.31/6.73亿,对应PE为48/39/31倍。

14. 维持增持评级。

15. 风险因素:产品研发风险/行业景气度下滑风险/市场竞争风险。

 报告详细内容请查阅原报告附件
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