东吴证券-中微公司-688012-2020年报点评：非经常性损益驱动业绩超市场预期，100亿定增夯实研发实力-210331

　　中微公司(688012)
　　事件：2021 年 3 月 30 日公司发布公告，2020 年实现营业总收入 22.73 亿元，比上年+16.76%；实现归母净利润 4.92 亿元，同比+161.02%；扣非归母净利 0.23 亿元，同比-84.19%。
　　投资要点
　　非经常性损益驱动 2020 年业绩超市场预期，半导体刻蚀设备业务高速增长公司 2020 年营收稳定增长，归母净利润同比+161%，主要系：（1）中芯国际科创板股票投资公允价值变动收益约 2.62 亿元；（2）公司 2020 年计入非经常性损益的政府补助为 2.53 亿，较 2019 年增加 2.26 亿元。 2020 年扣非归母净利润 0.23 亿元，同比-84%，主要系公司 2020 年实施股权激励计划产生股份支付费用约 1.24 亿元，而 2019 年无该类费用发生。若排除股份支付费用影响，公司 2020 年扣非归母净利润为 1.47 亿元，与 2019 年基本持平。
　　分业务看，（1）专用设备：2020 年专用设备业务收入合计 17.99 亿元，同比+13%，营收占比 79%，毛利率为 37.32%。其中半导体刻蚀设备收入为 12.89 亿元，同比+58%，主要系半导体设备行业景气度持续提升及公司产品竞争力持续加强所致； MOCVD 设备收入为 4.96 亿元，同比-34%，主要系 2020 年 LED 设备市场仍呈现下滑态势所致。（2）备品备件：2020年备品备件收入合计 4.42 亿元，同比+31%，毛利率 37.64%。（3）服务收入：2020 服务收入合计 0.33 亿元，同比+57%，毛利率 57.09%。
　　毛利率稳定增长，非经常性损益带动净利率大幅提升
　　2020 年，公司综合毛利率 37.67%，同比+2.7pct；净利率 21.66%，同比+12pct。公司净利率大幅提升，主要系非经常性损益大幅增长所致，2020年非经常损益 4.69 亿元，同比 2019 年的 0.41 亿元增长 1044%。若扣除非经常性损益影响，2020 年扣非净利率为 1.02%，同比-6.6pct。
　　技术驱动型企业持续加强研发投入，期间费用率小幅上升
　　公司 2020 年期间费用率为 31.4%，同比+3.7pct。 其中，销售费用率 10.4%，同比+0.3pct；财务费用率-0.3%，同比-0.1pct；管理费用率（含研发）为21.3%，同比+3.7pct，主要系公司继续加强研发投入所致，2020 年研发费用 3.31 亿元，营收占比 14.5%，同比+2.5pct。叠加已被政府补助抵减的研发费用 2.32 亿元，以及资本化研发投入 0.77 亿元，公司 2020 年研发投入合计 6.4 亿元，同比+51%，研发投入营收占比 28%，同比+6.3pct。其中包含股份支付费用 0.49 亿元，若剔除股份支付费用的影响，2020 年研发投入 5.9 亿元，同比+39%，主要用于研发存储器的 CCP 和 ICP 刻蚀设备、Mini-LED 大规模生产的高输出量 MOCVD 设备、Micro-LED 应用的新型MOCVD 设备等。
　　公司高度重视技术创新，截至 2020 年末，公司共有研发人员 346 名，占员工总数的 38.7%，研发人员平均薪酬 55 万元/年，公司“博士+硕士”学历员工占比 49%。2020 年公司新增专利申请 295 项，获得专利 80 项，截至 2020 年末，公司累计获得专利 1096 项。
　　预收款明显提升，预计充足的在手订单支撑短期业绩增长截至 2020 年末，公司的合同负债（预收账款）为 5.92 亿元，同比+14%；存货为10.64 亿元，同比-2%。公司预收款有明显提升，存货保持稳定，我们判断公司正在执行中的订单稳中有升，支撑短期业绩增长。
　　拟定增募资 100 亿元，用于产能和研发能力提升
　　2021 年 3 月，公司披露定增募集说明书，向特定对象发行股票，募资总额不超过100 亿元，其中 31.7 亿元用于中微产业化基地建设项目、37.5 亿元用于中微临港总部和研发中心项目、30.8 亿元用于科技储备资金。
　　从具体项目来看， （1）中微产业化基地建设项目， 公司计划在上海临港新片区以及南昌市高新区新建生产基地，扩充集成电路设备及泛半导体设备产品线产能； （2）中微临港总部和研发中心项目，将满足公司集成电路设备、泛半导体设备、关键零部件等的研发需求，并计划投入 25.72 亿元用于新产品研发。
　　中微临港总部和研发中心项目主要研发方向：
　　（1）CCP 刻蚀设备：① UD-RIE 刻蚀设备（主要用于 128 层及以上的 3D NAND极高深宽比 CCP 刻蚀）；②SD-RIE 刻蚀设备（主要用于 14nm 及以下逻辑器件的大马士革刻蚀）；
　　（2）ICP 刻蚀设备：①下一代单台反应器 ICP 刻蚀设备 Nanova+（主要用于 7nm及以下的逻辑芯片，17nm 及以下的 DRAM 芯片和 128 层及以上的 3D NAND 存储芯片的刻蚀）；②下一代双台反应器 ICP 刻蚀设备 Twin-Star+（主要用于 14nm 及以上的逻辑芯片或者相当技术节点的 DRAM 芯片的刻蚀，部分 14nm 以下的 FinFET 等结构的逻辑芯片和 64 层及以下的 3D NAND 存储芯片的非关键工艺的刻蚀）；③ALE 原子层刻蚀设备（主要用于 3nm 及以下的 GAA 结构、纳米片结构等高精度逻辑芯片的刻蚀）；
　　（3）MOCVD 设备：主要是 SiC 材料的外延设备的技术研发，是在 IPO 募投项目上的延伸。①外延材料上，IPO 募投项目为 GaN 材料，而此次定增为 SiC 材料；② 衬底材质上，IPO 募投项目为蓝宝石衬底，此次定增为 SiC 衬底。
　　半导体设备行业属于技术、资金密集型行业。 根据海外公司公告的 2020 财年报告，应用材料 2020 年度研发投入超 22 亿美元，泛林半导体年度研发投入超 12 亿美元。中微 2020 年研发投入仅 6.4 亿人民币，仍存在一定差距。长期来看，募投项目的落实将能有效扩充公司主要产品产能、夯实研发实力，提升经营业绩及盈利能力。
　　先进制程下刻蚀设备愈发重要，公司有望充分受益于国产化率提升
　　晶圆制造设备市场规模约占集成电路设备整体市场规模的 80%，而刻蚀设备为价值量占比最高的晶圆制造设备。目前刻蚀设备（包含清洗设备）、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量的 29%、22%和 21%。随着半导体制程工艺进步、线宽不断缩小、芯片结构 3D 化，当前浸没式光刻机受光波长的限制，14nm 及以下逻辑芯片需通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现光刻，先进制程下刻蚀设备市场规模有望实现跳增。
　　目前半导体设备国产化率仍较低，其中刻蚀设备市场仍由泛林半导体、东京电子、应用材料等少数海外巨头占据主要份额。据中微公司 2021 年 2 月 1 日公告的回复函，以近期公开招标的三家 fab 厂采购的半导体设备订单情况为例，刻蚀设备及 CMP 设备的国产化率约为 19.6%和 15.6%，CVD 设备及量测设备国产化率约 1.5%和 2.0%。公司作为已进入国际 5nm 集成电路产线的国内龙头刻蚀设备商，国产替代背景下有望充分受益于国产化率提升。
　　盈利预测与投资评级
　　我们预计公司 2021-2023 年净利润分别为 5.90 （原值 4.46，上调 32%）/6.85 （原值5.41，上调 27%）/8.77 亿，对应 PE 分别为 98/84/66 倍；公司是晶圆制造环节唯一进入全球龙头晶圆厂供应链的国产设备商，技术水平达到 5nm 先进制程，享有龙头的估值溢价，维持“增持”评级。
　　风险提示
　　晶圆厂投产不及预期，新品研发不及预期。